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Fujitsu macht Silizium-Chips schlank

Spezialhalterung für Wafer ermöglicht 25 Mikrometer flache Chips

Fujitsu hat die Entwicklung einer chemiefreien Fertigungstechnik angekündigt, mit deren Hilfe ultraflache Silizium-Chips hergestellt werden können sollen. Diese sollen mit einer Höhe von 25 Mikrometern nur ein Viertel so dick wie herkömmliche Chips sein.

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Da Hardware-Produkte - insbesondere im Telekommunikations-Bereich - immer mehr Technik auf immer weniger Raum integrieren müssen, dürfen Chips für extrem schmale Produkte laut Fujitsu nicht dicker als 150 Mikrometer sein, während Chips für flache Einzel- und Multi-Chip-Packages höchstens 100 Mikrometer und für Chipkarten höchstens 50 Mikrometer dick sein dürfen.

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Derzeit sollen Chips mittels chemiefreiem Polierungs-Prozess auf eine Höhe von 100 bis 150 Mikrometern geschrumpft werden können. Unter 100 Mikrometer können Druck und Pulver vom Prozess die Wafer platzen lassen. Mittels Chemikalien können zwar Dicken von unter 100 Mikrometer erreicht werden, doch ihre Nutzung verlängert den Fertigungsprozess, erhöht die Apparaturkosten und die Umweltbelastung.

Fujitsu will die mechanische Belastung durch eine spezielle Vorrichtung umgehen, in welche ein Wafer gespannt wird. Die Spannvorrichtung soll jede Verformung bei der Polierung der Wafer-Unterseite ausgleichen. Dabei sollen Form, Material und Konstruktion der Wafer-Spannvorrichtung sorgsam ausgewählt sein, um die Chip-Oberfläche gerade zu halten. Da die Spannvorrichtung leicht in existierende Anlagen integriert werden können soll, könne man dabei auf die Investition in neue Geräte verzichten.

Die neue Fertigungstechnik, die Fujitsu gemeinsam mit dem Tokioter Unternehmen Disco entwickelte, soll insbesondere Chipgehäusen zugute kommen, die mehrere gestapelte Chips beherbergen, etwa System-in-Package(*1) und Multi-Chip-Package-(MCP-)Designs. Da die neue Fertigungstechnik zudem die Verwendung von Chemikalien bei der Chip-Politur unnötig macht, sollen Fertigungszeit und Kosten gering gehalten sowie die Umwelt geschont werden.



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