Samsung startet Massenproduktion von 512-Mbit-DDR-SDRAMs
Umstieg von 200-mm- auf 300-mm-Wafer hat begonnen
Samsung Electronics hat mit der Massenproduktion von 512-Mbit-DDR-SDRAMs begonnen, die in 0,12-Mikron-Prozesstechnologie gefertigt werden. Außerdem hat der Hersteller begonnen, von 200-mm- auf 300-mm-Wafer umzusteigen.
Die ersten Tests mit 300-mm-Wafern hat Samsung im Juli begonnen, seit September werden 15.000 256-Mbit-SDRAM-Chips (0,15 Mikron) pro Monat darauf gefertigt. Nun hat Samsung die Massenfertigung auf den größeren Wafern gestartet, die laut Samsung im Allgemeinen 2,5-mal mehr Chips fassen als die 200-mm-Wafer.
Die Produktionskapazitäten sollen im nächsten Jahr weiter angehoben werden und dann auch die in 0,12 Mikron entwickelten 512-Mbit-DDR-Speicher auf den 300-mm-Wafern produziert werden. Damit will man die Produktivität steigern und die Kosten senken.
2002 will Samsung auch 0,10-Mikron-taugliche 300-mm-Wafer fertig haben, die Massenproduktion von darauf gefertigten 512-MBit-Speichern soll jedoch erst 2003 erfolgen. 2004 schließlich soll die Massenproduktion von Chips in 0,07-Mikron-Prozesstechnologie erfolgen.
Stimmt, ist korrigiert. Danke für den Hinweis. Montags übernächtigt News schreiben...
Tip: Das soll doch wohl 0,07ym heißen (nicht 0,7ym)