Samsung startet Massenproduktion von 512-Mbit-DDR-SDRAMs

Umstieg von 200-mm- auf 300-mm-Wafer hat begonnen

Samsung Electronics hat mit der Massenproduktion von 512-Mbit-DDR-SDRAMs begonnen, die in 0,12-Mikron-Prozesstechnologie gefertigt werden. Außerdem hat der Hersteller begonnen, von 200-mm- auf 300-mm-Wafer umzusteigen.

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Die ersten Tests mit 300-mm-Wafern hat Samsung im Juli begonnen, seit September werden 15.000 256-Mbit-SDRAM-Chips (0,15 Mikron) pro Monat darauf gefertigt. Nun hat Samsung die Massenfertigung auf den größeren Wafern gestartet, die laut Samsung im Allgemeinen 2,5-mal mehr Chips fassen als die 200-mm-Wafer.

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Die Produktionskapazitäten sollen im nächsten Jahr weiter angehoben werden und dann auch die in 0,12 Mikron entwickelten 512-Mbit-DDR-Speicher auf den 300-mm-Wafern produziert werden. Damit will man die Produktivität steigern und die Kosten senken.

2002 will Samsung auch 0,10-Mikron-taugliche 300-mm-Wafer fertig haben, die Massenproduktion von darauf gefertigten 512-MBit-Speichern soll jedoch erst 2003 erfolgen. 2004 schließlich soll die Massenproduktion von Chips in 0,07-Mikron-Prozesstechnologie erfolgen.

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CK (Golem.de) 30. Okt 2001

Stimmt, ist korrigiert. Danke für den Hinweis. Montags übernächtigt News schreiben...

Joe 30. Okt 2001

Tip: Das soll doch wohl 0,07ym heißen (nicht 0,7ym)



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