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Infineon und Canon starten gemeinsames Forschungsprojekt

Ziel: Einführung von Lithographie-Systemen auf 157-nm-Basis

Infineon und Canon haben ein gemeinsames Forschungsprojekt zur Entwicklung von Photolithographie-Systemen auf Basis der 157-Nanometer-Belichtungstechnologie über Fluor-Laser (F2) vereinbart. Mit dieser Zusammenarbeit soll die Entwicklung von 157-nm-Lithographie-Anlagen sowie die nachfolgende Einführung dieser Technologie in den Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen beschleunigt werden. Infineon plant die Einführung der 157-nm-Lithographie-Technik für die Fertigung von Speicher- und Logikprodukten.

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Infineon beteiligt sich im Rahmen des Forschungsprojekts an den Entwicklungsaktivitäten von Canon zur schnelleren Fertigstellung des Canon-F2-Belichtungssystems der ersten Generation, dessen Auslieferung an Infineon für das zweite Quartal 2003 vorgesehen ist. Bis zu diesem Zeitpunkt laufen die gemeinsamen Forschungsaktivitäten am Canon-Standort für optische Produkte in Utsunomiya. Sie beinhalten die Sammlung von Prozessdaten für die tatsächliche Herstellung von Systemen, mit denen die Entwicklung von 70-nm-kompatiblen Belichtungsanlagen ermöglicht und vorangetrieben werden soll. Im Anschluss sollen für die gemeinsame Prozessentwicklung bis Ende 2004 sämtliche Aktivitäten zu Infineon verlegt werden.

Beide Unternehmen gehen davon aus, dass Belichtungsanlagen auf F2-Laser-Basis mit der kürzeren Wellenlänge von 157 nm zukünftig von den Herstellern von Halbleiterbauelementen weltweit dazu eingesetzt werden, um Schaltkreise mit 70-nm-Groundrules entwickeln und fertigen zu können. Belichtungssysteme mit KrF- (Krypton-Fluorid, 248 nm) und ArF-Lasern (193 nm) bieten nicht die technischen Voraussetzungen zur Abbildung der ultrafeinen Linienmuster, die von den Chip-Herstellern für die Miniaturisierung von Schaltkreisen unter 90 nm benötigt werden. Aus diesem Grund können die beiden Techniken mit der ständig fortschreitenden Verkleinerung von Rastermaßen und Abmessungen in Zukunft nicht mehr länger Schritt halten.

Gemäß der International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) - sie sieht einen Beginn der Massenfertigung von 70-nm-Speicherbausteinen für das Jahr 2006 vor - müssen die 157-nm-Systeme zur Entwicklung und Musterfertigung dieser Komponenten bereits mit einem Vorlauf von einigen Jahren zur Verfügung stehen.

"Mit der Kooperation sind wir in der Lage, die umfangreichen Datenbestände für Resist-Prozesse sowie die langjährigen Erfahrungen von Infineon auf diesem Gebiet mit den erstklassigen Photolithographie-Anlagen von Canon zu kombinieren", sagte Andreas Oelmann, Vice President of Corporate Lithography bei Infineon. "Durch das gemeinsame Forschungsprogramm werden wir die neue 157-nm-Lithographie-Technologie frühzeitig verfügbar haben und so unsere aggressive Roadmap für neue Speicher- und Logikbausteine in die Praxis umsetzen können. Im Rahmen dieses gemeinsamen Projekts wird Infineon das erforderliche Know-how wie auch die nötige Manpower beisteuern, um die Entwicklungsaktivitäten in Utsunomiya zu beschleunigen. Zur Einführung neuer Miniaturisierungsansätze in der Schaltungstechnologie ist das richtige Timing von entscheidender Bedeutung, und wir sind davon überzeugt, dass wir mit der Bündelung unserer Aktivitäten wertvolle Monate einsparen und so dem Wettbewerb einen wichtigen Schritt voraus sein können."

"Die Zusammenarbeit mit Infineon ist der erste Schritt, um zu zeigen, welche führende Rolle Canon in Zukunft bei der zeitnahen Markteinführung von komplexen optischen Lithographie-Systemen spielen wird", kommentierte Akira Tajima, Director and Chief Executive of Optical Products Operations bei Canon.

"Wir wollen unseren Partnern nicht nur technisch erstklassige Photolithographie-Anlagen zur Verfügung stellen, sondern darüber hinaus echte 157-nm-Systemlösungen bieten. Aus diesem Grund arbeitet Canon bei der Prozessentwicklung eng mit seinen Kunden zusammen, um den Technologieexperten der unterschiedlichen Gebiete die Möglichkeit zu bieten, ihre jeweiligen Fachkenntnisse gezielt zu kombinieren und sich auf die Erreichung des gemeinsamen Ziels konzentrieren zu können."


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