Intel schraubt schon am 20-GHz-Prozessor
Transistoren mit 20 Nanometer Größe hergestellt. Intel-Forscher haben die These, dass dem Moore-Gesetz keine Grenze nach oben gesetzt ist, wieder einmal aufs Neue belegt. Im Versuch konnten die Wissenschaftler Silizium-Transistoren mit nur 20 Nanometer Größe herstellen, die es um 2007 herum ermöglichen sollen, Prozessoren mit 20 GHz und weniger als einem Volt Betriebsspannung zu produzieren. Das Moore-Gesetz besagt, dass sich die Komplexität neuer Prozessoren alle 18 Monate verdoppelt.
Die Silizium-Transistoren mit 20 nm Durchmesser sind 30 Prozent kleiner und 25 Prozent schneller als die zurzeit schnellsten bisher produzierten Halbleiter, die im Übrigen ebenfalls von Intel stammen.
Ein Nanometer ist ein milliardstel Meter. Die jetzt im Labor hergestellten Transistoren sind die Basis für einen 45-Nanometer-Produktionsprozess (0,045-Micron), die Intel vermutlich 2007 zur Marktreife bringen kann. Aktuell ist die 130-Nanometer-Produktionstechnik.
Die dielektrischen Oxide der Transistoren sind nur drei Atomlagen dick. Zum Größenvergleich gibt Intel ein anschauliches Beispiel. Für die Dicke einer handelsüblichen dünnen Papierseite würde man mehr als 100.000 dieser Gates übereinandergestapelt benötigen.