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Infineon weiht neues Entwicklungszentrum für DRAMs ein

Entwicklung von Speicherchips für den High-End-Server- und Workstation-Markt

Für den weiteren Ausbau seiner Position im DRAM-Markt hat Infineon Technologies ein neues 1.765 Quadratmeter großes Entwicklungszentrum im amerikanischen Bundesstaat Vermont eröffnet. Am neuen Standort in Williston sollen in erster Linie High-Performance-DRAMs (Dynamic Random Access Memory) für den PC-Desktop-, Server- und Workstation-Markt entwickelt werden. Im Rahmen der Entwicklung, Tests und des Einsatzes neuer Speicherlösungen bei Kunden soll das Zentrum eng mit dem Bereich Memory Products von Infineon zusammenarbeiten.

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Am neuen Standort sind gegenwärtig 15 Entwicklungs- und Testingenieure beschäftigt; bis zum Jahr 2002 soll die Anzahl der Mitarbeiter auf bis zu 60 erhöht werden. Leiter des Entwicklungszentrums ist Frank Gelsdorf.

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"Mit dem neuen Entwicklungszentrum in Vermont unterstreicht Infineon, dass kontinuierliche Investitionen in die Forschung hohen Stellenwert für das Unternehmen besitzen. Gleichzeitig ist der neue Standort unverzichtbar für den Erhalt unserer führenden Position als strategischer DRAM-Lieferant für unsere Kunden", erklärte Dr. Andreas von Zitzewitz, Chief Operating Officer von Infineon Technologies. "In Burlington, ebenfalls im Staat Vermont, verbindet uns eine langfristige strategische Allianz mit IBM zur gemeinsamen Entwicklung von High-Performance-DRAM-Speicherbausteinen. Wir werden unser Engagement in der Region fortführen und unser Team mit Ingenieuren aus allen Teilen der USA weiter ausbauen."

Als Teil des Entwicklungsnetzwerks von Infineon soll der neue Standort die bisherigen 26 Zentren ergänzen und zur Sicherstellung des kontinuierlichen Wissenstransfers beitragen. Neben den USA verfügt Infineon Technologies über Entwicklungszentren in Indien, Großbritannien, Singapur, Frankreich, Österreich und Deutschland.

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