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Infineon Mobile-RAM - Low-Power-DRAMs für mobile Endgeräte

Stromsparende Speicherchips mit eigenem Power-Management. Der Halbleiterhersteller Infineon Technologies AG hat die Einführung einer neuen Familie von Low-Power-DRAMs angekündigt, die speziell für den Wachstumsmarkt mobiler Endgeräte konstruiert sind. Die "Mobile-RAM"-Produktlinie soll durch besonders geringen Leistungsverbrauch, kleinste Abmessungen sowie niedrigen Preis glänzen.
/ Christian Klaß
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Ein Mobile-RAM ist ein synchroner DRAM (SDRAM) mit niedriger Stromaufnahme, montiert in einem Ball-Grid-Array-Gehäuse mit geringem Kontaktabstand. Im Vergleich zu einem im Standard-TSOP-Gehäuse verpackten DRAM ist der Platzbedarf des Mobile-RAMs im BGA-Gehäuse um mehr als den Faktor 3 reduziert. Das Gehäuse ist mit 8 mm x 9 mm nur unwesentlich größer als der eigentliche Siliziumchip.

Infineons erster Low-Power-DRAM verfügt über eine Gesamtkapazität von 128 Mbit und soll sich ideal für den Einsatz in mobilen Endgeräten wie Smart Phones, Personal Digital Assistants (PDAs) und handflächengroßen Computern eignen. Die Organisation des neuen Mobil-RAMs mit 8M x 16 erlaubt die Verwendung in Umgebungen mit sowohl 16 wie auch 32 Bit Busbreiten.

Abhängig von den Betriebsbedingungen und dem Systemdesign benötigt das Mobile-RAM laut Infineon dank eigenem Power-Management und reduziertem Bedarf an Betriebs- bzw. Ein/Ausgabetreiber-Spannung bis zu 80 Prozent weniger Strom als ein Standard-SDRAM-Chip. Standard-SDRAMs benötigen 3,3 Volt Betriebsspannung, Mobile-RAMs nur 2,5 Volt, die Ein-/Ausgangstreiber sogar nur 1,8 oder 2,5 Volt. Zu den Power-Management-Features gehören die Temperatur-Kompensation der Self-Refresh-Rate sowie das optionale Ausblenden von Bereichen der Memory-Array beim Refresh. Beide Maßnahmen sollen wesentlich dazu beitragen, den Leistungsverbrauch des Low-Power-Bausteins im aktiven Betrieb wie auch im Stand-by-Modus stark abzusenken.

Zusammen mit weiteren Partnern der Halbleiterindustrie arbeitet Infineon daran, die Stromspar-Features und das 54-polige FBGA-Gehäuse des Mobile-RAMs bei JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) zu standardisieren. Nach der erfolgten Standardisierung erwartet Infineon relativ kurzfristig kompatible Bausteine auf dem Markt, die das Mobile-RAM zu einem populären DRAM machen, das in hohen Stückzahlen eingesetzt wird.

Die ersten Muster des 128-Mbit Mobile-RAMs in der Organisation 8M x 16 sind im zweiten Quartal 2001 verfügbar. Die Aufnahme der Stückzahlproduktion ist für Ende 2001 geplant.


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