Intel-Chips: 30-nm-Strukturen und 10 GHz
Die ultra-kleinen und ultra-schnellen Transistoren sollen den Bau von Prozessoren mit mehr als 400 Millionen Transistoren innerhalb der kommenden fünf bis zehn Jahre ermöglichen. Sie sollen bei Betriebsspannungen unter 1 Volt mit Taktfrequenzen von bis zu 10 GHz arbeiten.
Auf Basis dieser Transistoren seien Mikroprozessoren möglich, die Anwendungen aus Science-Fiction-Filmen zur täglichen Realität werden lassen: etwa Universalübersetzer oder Gestenerkennung, verspricht Intel.
Intel-Wissenschaftler stellen die technische Entwicklung heute auf dem International Electron Devices Meeting in San Francisco vor, einer bedeutenden Konferenz für Ingenieure und Wissenschaftler aus der Halbleiter-Branche.
Die Intel-Wissenschaftler konnten die ultra-kleinen Transistoren herstellen, indem sie alle Maße deutlich verkleinerten. Das Gate-Oxid der Transistoren ist beispielsweise nur noch 3 Atomlagen dick. Erst mehr als 100.000 Gate-Oxid-Schichten übereinandergestapelt sind etwa so dick wie ein normales Papierblatt. Allerdings rechnet Intel erst in drei Prozesstechnik-Generationen mit einer Massenfertigung. Umso erstaunlicher ist die Tatsache, dass die Intel-Wissenschaftler diese Transistoren mit heute üblichen Strukturen herstellen konnten.
"Einige Experten dachten, es wäre unmöglich, so kleine CMOS-Transistoren zu bauen. Elektrische Phänomene würden dies verhindern. Unsere Forschung beweist, dass sich ultra-kleine Transistoren genauso verhalten, wie wir es gewohnt sind. Außerdem zeigt unsere Forschung, dass es keine grundlegenden Hindernisse gegen die zukünftige Massenfertigung solcher Bauelemente gibt" , sagte Dr. Gerry Marcyk, Director der Intel Components Research Lab, Technology und Manufacturing Group. "Das Wichtigste an den 30-Nanometer-Transistoren seien jedoch deren Merkmale: Sie sind klein, schnell und arbeiten mit geringer Stromspannung. Normalerweise kann man nur zwei der drei Merkmale verbessern - alle drei positiv zu beeinflussen ist schon eine große Leistung."