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Infineon baut 300-mm-Halbleiterwerk in Dresden

512-Mbit-Chips in 0,11-Mikrometer-Technologie ab 2002

Die Infineon Technologies AG feiert heute in Anwesenheit von Bundeskanzler Gerhard Schröder, der Bundesministerin für Bildung und Forschung, Edelgard Bulmahn, und des Ministerpräsidenten des Freistaates Sachsen, Prof. Dr. Kurt Biedenkopf, in Dresden die Grundsteinlegung für die weltweit erste 300-mm-Volumenfertigung. Das Gesamtvolumen der Investition beläuft sich auf circa 1,1 Milliarden Euro über die nächsten drei Jahre.

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In dem neuen Unternehmen Infineon Technologies SC300 werden die Fertigungs- und Entwicklungsaktivitäten in der 300-mm-Technologie zusammengeführt. An diesem Unternehmen werden sich der Freistaat Sachsen mit 115 Millionen Euro und die Jenoptik-Tochtergesellschaft M+W Zander, ein Spezialist für die Planung und Ausführung von Halbleiterwerken, mit 50 Millionen Euro beteiligen. Insgesamt sollen circa 1.100 neue Arbeitsplätze entstehen. Im Frühjahr kommenden Jahres sollen die Bauarbeiten abgeschlossen sein. Erste Produkte werde Infineon in der zweiten Hälfte des Jahres 2001 fertigen.

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"Der Aufbau neuer 300-mm-Kapazitäten für Speicherprodukte ermöglicht die zunehmende Nutzung bestehender 200-mm-Fertigungslinien für den hohen Bedarf an Logikprodukten", erklärte Dr. Andreas von Zitzewitz, Mitglied des Vorstands von Infineon. Gegen Ende des Jahres 2002 soll das neue Modul volle Kapazität von ungefähr 6.000 Siliziumscheiben pro Woche erreichen.

Das neue 300-mm-Modul wird auf dem bestehenden Infineon-Werksgelände in Dresden errichtet. Bereits im Frühjahr 2001 soll das erforderliche Fertigungs-Equipment installiert werden. Die ersten Produkte auf 300-mm-Siliziumscheiben aus der neuen Fertigung werden für die zweite Hälfte 2001 erwartet. Im Anlauf sollen 256-Mbit-DRAM-Speicherbausteine in 0,14-µm-Strukturen produziert werden. Im Jahr 2002 plant Infineon dann die Fertigung der 512-Mbit-Chips mit noch feineren Strukturen von 0,11 µm.

Die 300-mm-Fertigungstechnologie wurde in Dresden gemeinsam von Motorola und Infineon im Joint Venture mit dem Namen Semiconductor300 entwickelt. Das Projekt wird vom Freistaat Sachsen und vom BMBF gefördert. Nach dem erfolgreichen Start der Pilotlinie konnten bereits im September 1999 erste 64-Mbit-DRAMs an Kunden geliefert werden. Infineon will mit Hilfe der 300-mm-Fertigungstechnologie eine signifikante Senkung der Kosten pro Chip erreichen und betrachtet die Volumenfertigung in 300 Millimetern als unerlässlich für eine wettbewerbsfähige Halbleiterherstellung. Im Vergleich zur bisherigen 200-mm-Technologie können circa zweieinhalbmal soviel Chips auf den größeren Siliziumscheiben untergebracht werden.

In der letzten Woche kündigte auch Intel an, mit dem Bau eines 300-mm-Halbleiterwerks zu beginnen.



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