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Artikel

  1. Forschung: Biegsamer Speicher mit RRAM und Memristor

    Forschung

    Biegsamer Speicher mit RRAM und Memristor

    Koreanische Wissenschaftler haben einen neuen Typ von Arbeitsspeicher auf einer flexiblen Folie entwickelt. Sie kombinierten dabei herkömmliche Transistoren mit einem Memristor.

    04.11.20116 Kommentare

  1. ReRAM: HPs Memristor soll Flash-Speicher ab 2013 ersetzen

    ReRAM

    HPs Memristor soll Flash-Speicher ab 2013 ersetzen

    Anfang 2013 will HP erste ReRAM-Produkte auf Basis seiner Memristor-Technik auf den Markt bringen und damit Flash-Speicher ablösen. Später sollen Memristors auch DRAM und SRAM ersetzen.

    08.10.201169 KommentareVideo

  2. Samsung RRAM: Flash- und Arbeitsspeicher der Zukunft?

    Samsung RRAM

    Flash- und Arbeitsspeicher der Zukunft?

    Samsung entwickelt einen neuen nichtflüchtigen Speichertyp. Der Resistive Random Access Memory (RRAM) soll stromsparender und um ein Vielfaches schneller sein als aktuelle Flashspeicher - und sogar als Arbeitsspeicher taugen.

    13.07.201112 Kommentare

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  1. Neuer Transistor: Forscher vereinen Vorteile von Flash und DRAM

    Neuer Transistor

    Forscher vereinen Vorteile von Flash und DRAM

    Wissenschaftler der North Carolina University in Raleigh haben einen Transistor entwickelt, der sowohl schnell schalten als auch seine Inhalte ohne Stromzufuhr speichern kann. Sie verwenden dafür zwei schaltende Gates, wodurch sich die positiven Eigenschaften bisheriger Speicher kombinieren lassen sollen.

    21.01.201132 Kommentare

  2. ReRAM: Hynix soll HPs Memristor in Serie herstellen

    ReRAM

    Hynix soll HPs Memristor in Serie herstellen

    Seit vier Jahren erforscht Hewlett-Packard verstärkt den Memristor, der als Nachfolger von Flash und DRAM gehandelt wird. Nun hat das Unternehmen mit Hynix eine Partnerschaft geschlossen, die erste Serienprodukte hervorbringen soll. Einen Namen für das Produkt gibt es auch schon: ReRAM.

    01.09.201018 KommentareVideo

  3. Samsung beginnt Serienfertigung von PRAM für Handys

    Samsung beginnt Serienfertigung von PRAM für Handys

    Noch im zweiten Quartal 2010 will Samsung Bausteine für Handys ausliefern, die mit PRAM ausgestattet sind. Der seit Jahren als möglicher Flash-Nachfolger gehandelte Speichertyp kam bisher nicht richtig in Schwung, Samsung traut ihm nun die Anwendung in Handys zu.

    28.04.201020 Kommentare

  1. HP will Flash-Nachfolger Memristor in Serie fertigen

    HP will Flash-Nachfolger Memristor in Serie fertigen

    Hewlett-Packard forscht weiter am Memristor, einem der möglichen Nachfolger von Flash-Speichern. Inzwischen sollen die Bauelemente auch Rechenfunktionen beherrschen, einen Fertigungsprozess für die Herstellung mit Mitteln der Halbleitertechnik gibt es ebenfalls.

    08.04.201019 KommentareVideo

  2. NECs Flash-Alternative MRAM erreicht 400 MHz

    Trotz zahlreicher Konkurrenz bei der Entwicklung von Universalspeichern, die die Vorteile von DRAM und Flash vereinen sollen, forscht NEC weiter an seinem "Magnetoresistive Random Access Memory", kurz MRAM. Inzwischen gibt es Fortschritte und eine neue Positionierung: MRAM soll in SoCs für Unterhaltungselektronik Platz finden.

    28.07.2009

  3. Flexibler Memristor entwickelt

    Flexibler Memristor entwickelt

    Forscher am US National Institute of Standards and Technology (NIST) haben einen flexiblen Memristor entwickelt. Damit lassen sich stromsparende Speicherchips entwickeln, die sich biegen und drehen lassen.

    05.06.2009Video

  4. Start-up verspricht Flashnachfolger mit weniger Transistoren

    Start-up verspricht Flashnachfolger mit weniger Transistoren

    Gleich drei Wünsche auf einmal will das seit Jahren mit Millionen aufgebaute US-Unternehmen "Unity Semiconductor" erfüllen: Sein neuer Speichertyp namens "CMOx" soll schneller als NAND-Flash, aber noch günstiger herzustellen und viel langlebiger sein. Zu den Unterstützern gehört auch ein mysteriöser Festplattenhersteller.

    19.05.2009

  5. ReRAM - Fujitsu macht Fortschritte mit der Flash-Alternative

    Fujitsu hat einen neuen Typ von so genanntem "Resistive RAM" (ReRAM) entwickelt, eine nicht flüchtige Speichertechnik, die eines Tages Flash-Speicher ersetzen könnte. Fujitsus ReRAM kommt dabei mit deutlich weniger Strom aus als bisherige Ansätze und arbeitet zudem deutlich schneller.

    14.12.2007


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