Intel und Micron haben mit ihrem Joint Venture IMFT erstmals MLC-NAND-Flash mit 20-Nanometer-Strukturen und einer Kapazität von 128 GBit auf einem Chip hergestellt. Zuvor brachten die beiden nur 64 GBit auf einem solchen Chip unter.
Das ehemalige Joint Venture zwischen AMD und Fujitsu, Spansion, hat eine neue Serie von Flash-Chips mit serieller Anbindung angekündigt. Die Bausteine sollen für Autos, Unterhaltungs- und Netzwerkelektronik dienen und besonders schnell sein.
Samsung entwickelt einen neuen nichtflüchtigen Speichertyp. Der Resistive Random Access Memory (RRAM) soll stromsparender und um ein Vielfaches schneller sein als aktuelle Flashspeicher - und sogar als Arbeitsspeicher taugen.
Intel und Micron nehmen die Fertigung von NAND-Flash in einem 20-Nanometer-Prozess auf. Die ersten damit gefertigten Chips bringen 8 GByte MLC-NAND-Flash auf einer Fläche von nur 118 Quadratmillimetern unter.
Südkoreanische und britische Forscher schlagen eine neue Art vor, digitale Daten dauerhaft zu speichern. Sie kombinieren dabei Mikromechanik und Halbleiter, was schneller schalten und sparsamer sein soll.
Das Industriekonsortium ONFI hat die Version 3.0 seiner Spezifikation der Schnittstelle zu Flash-Bausteinen vorgelegt. Per DDR2-Technik können die Chips nun mit bis zu 400 Megabyte pro Sekunde gelesen und beschrieben werden.
Micron will Flashcontrollern eine Aufgabe abnehmen. Der ClearNAND-Flashspeicher kann die Fehlerkorrektur (ECC) selbst übernehmen. Dafür baut Micron einen Controller in die Flashpackages ein.
Samsung fertigt NAND-Flash mit 3 Bit pro Zelle in 20-Nanometer-Technik. Gedacht sind die Chips mit bis zu 64 GBit Kapazität vor allem für USB-Speichersticks.
Seit vier Jahren erforscht Hewlett-Packard verstärkt den Memristor, der als Nachfolger von Flash und DRAM gehandelt wird. Nun hat das Unternehmen mit Hynix eine Partnerschaft geschlossen, die erste Serienprodukte hervorbringen soll. Einen Namen für das Produkt gibt es auch schon: ReRAM.
Toshiba beginnt mit der Produktion von NAND-Flash in 24-Nanometer-Technik und will damit 64 GBit (8 GByte) auf einem einzelnen Chip unterbringen.
Intel und Micron haben zusammen erste NAND-Flash-Chips in 25-Nanometer-Technik ausgeliefert, die 3 Bit pro Zelle unterbringen (Triple-Level-Cell, TLC). Das soll die Herstellungskosten von Flash-Speicher deutlich senken.
Fusion-io hat ein auf Flash-Speicher optimiertes Subsystem vorgestellt, das die Vorteile traditioneller, blockbasierter I/O-Subsysteme mit denen eines virtuellen Speichersubsystems verbinden soll.
Samsung und Toshiba wollen mit ToggleDDR 2.0 NAND-Chips beschleunigen. Gegenüber der ursprünglichen Roadmap wurden die Ziele höher gesteckt.
Nach Panasonic, Pretec und Sandisk bietet nun auch Kingston eine erste Speicherkarte nach SDXC-Standard an. Zwar gibt es dafür inzwischen etliche Kameras für die von Kingston versprochenen Transfergeschwindigkeiten, aber noch keine Lesegeräte.
Bei Samsung ist als erstem Halbleiterhersteller der Wechsel zur nächsten Strukturbreite bereits vollzogen. Nach eigenen Angaben fertigt das Unternehmen Flash-Chips in 20-Nanometer-Technik bereits in Musterstückzahlen, was größere und schnellere SD-Karten ermöglichen soll.
Hewlett-Packard forscht weiter am Memristor, einem der möglichen Nachfolger von Flash-Speichern. Inzwischen sollen die Bauelemente auch Rechenfunktionen beherrschen, einen Fertigungsprozess für die Herstellung mit Mitteln der Halbleitertechnik gibt es ebenfalls.
Als einer der ersten Hersteller will Super Talent im März 2010 besonders kompakte USB-Sticks nach dem Superspeed-Standard auf den Markt bringen. Die Speicherstäbchen sollen 16 oder 32 GByte fassen.
IMFT, das Joint-Venture Intel-Micron Flash Technologies, arbeitet an der nächsten Generation der Flash-Speicher, die unter anderem in SSDs zu finden sein werden. Dank eines neuen Produktionsprozesses sollte der SSD-Markt gegen Ende des Jahres 2010 wieder mehr Bewegung zeigen.
Forscher an der Universität von Tokyo haben eine Art organischen Flash-Speicher entwickelt. Dabei handel es sich um einen nicht volatilen Speicher mit der gleichen Grundstruktur wie Flash-Speicher, der aber aus organischem Materialien gefertigt wird.
Der von Intel und ST Micro gegründete Speicherhersteller Numonyx feiert einen Durchbruch bei der Konstruktion von Phase Change Memory, das dereinst gleich DRAM und Flash ablösen soll. Die Bausteine lassen sich nun stapeln, was Kosten senken und Speicherdichte erhöhen soll.
Sun bringt mit dem Sun Storage F5100 einen Storageserver auf den Markt, der ausschließlich auf Flash-Speicher setzt. Er bietet bis zu 1,92 TByte Speicherkapazität und soll nur 300 Watt benötigen.
IDF Intel arbeitet an einer auf Flash-Speicher basierenden Speicherlösung in Form von PCIe-Karten, die 1 Million IOPs erreichen soll. Wie sich das mit Standard-SSDs umsetzen lässt, zeigte Intel-Ingenieur Bhaskar Gowda auf dem IDF.
Samsung hat mit der Massenproduktion von PRAM begonnen. Die "Phase-change Random Access Memory"-Module sollen nach dem Willen von Samsung NOR-Flash ablösen. Der nichtflüchtige Speicher ist so schnell wie RAM.
Texas Memory Systems will mit dem RamSan-6200 ein auf Flash-Speicher basierendes Storage-System ausliefern, das mehr als 5 Millionen I/O-Operation pro Sekunde erreicht und 100 TByte Speicherkapazität bietet.
Sony hat eine Memorystick-Variante mit einer Speicherkapazität von 32 GByte angekündigt, die vor allem beim Filmen mit Digitalkameras und Camcordern ihre Vorzüge ausspielen soll.
Gleich drei Wünsche auf einmal will das seit Jahren mit Millionen aufgebaute US-Unternehmen "Unity Semiconductor" erfüllen: Sein neuer Speichertyp namens "CMOx" soll schneller als NAND-Flash, aber noch günstiger herzustellen und viel langlebiger sein. Zu den Unterstützern gehört auch ein mysteriöser Festplattenhersteller.
Mit dem RamSan-620 stellt Texas Memory Systems ein auf Flash-Speicher basierendes Storage-System für den professionellen Einsatz vor. In zwei Höheneinheiten bringt es 5 TByte Speicher unter.
Das Speichergremium JEDEC hat die Spezifikation für "Low-Power DDR-2" verabschiedet. Neben geringerer Spannung wird damit auch ein gemeinsamer Bus für Hauptspeicher und Flash definiert, was Mobilgeräte wie Handys weiter verbilligen könnte.
Der angeschlagene Flashspeicherhersteller Spansion, der zuletzt den Abbau von 3.000 Arbeitsplätzen angekündigt hatte, ist insolvent. Die japanische Landestochter musste wegen eines Schuldenberges von 629 Millionen Euro bereits im Februar 2009 Insolvenz anmelden.
SanDisk zeigt auf der CES seine zweite Generation von SSDs für Netbooks. Die neuen Geräte der Serie pSSD sind mit einer SATA-Schnittstelle ausgestattet und mit höherer Kapazität verfügbar.
Toshiba kündigt das erste Solid State Drive (SSD) im 2,5-Zoll-Format mit einer Kapazität von 512 GByte an. Dabei kommen neue Flash-Speicherchips zum Einsatz, die in einem 43-Nanometer-Prozess hergestellt werden.
Micron hat zusammen mit Sun besonders robuste Flash-Speicherchips entwickelt. Die NAND-Flash-Bausteine sind als Single-Level-Cell (SLC) ausgeführt und sollen eine deutlich längere Lebensdauer aufweisen als herkömmlicher Flash-Speicher.
SanDisk und Toshiba wollen in ihrer gemeinsamen Flash-Speicher-Fabrik in Yokkaichi (Japan) die Produktion drosseln. Die beiden reagieren damit auf den weltweiten wirtschaftlichen Abschwung.
Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung gibt seinen Plan zum Kauf von SanDisk auf. "Wir ziehen die Offerte offiziell zurück", teilte Samsung in Seoul mit. Grund seien die "niedrigen Gewinne und der unklare Ausblick auf die Geschäftsentwicklung", so Samsung in einer Börsenmitteilung.
Der japanische Elektronikkonzern Toshiba übernimmt einen Teil des SD-Card-Maschinenparks von seinem Joint-Venture-Partner SanDisk. Inoffiziell sollen bei dem Deal 100 Milliarden Yen (747 Millionen Euro) fließen. Unklar ist, ob Toshiba so seinen Gefährten gegen eine Übernahme durch Samsung verteidigt oder aber den Deal noch beschleunigt.
Toshiba bringt ein besonders kompaktes Solid-State-Drive (SSD) mit 256 GByte Kapazität auf den Markt. Zugleich stellte Toshiba kleine Flash-Module zur Integration in Netbooks und UMPCs vor.
Das Advanced XIP Filesystem (AXFS) wurde für die Aufnahme in den Linux-Kernel vorgeschlagen. Bereits bis zur übernächsten Version 2.6.28 könnte es so weit sein. Das System wurde für den Einsatz in Embedded-Systemen entwickelt.
Wie erwartet hat Intel auf seiner Entwicklerkonferenz IDF eine neue Generation von Solid State Disks (SSD) vorgestellt. Die "High-Performance SATA Solid-State Drive Product Line" umfasst Modelle im Format 1,8 und 2,5 Zoll.
Aiptek hat eine kleine Videokamera vorgestellt, die eine maximale Auflösung von 1.440 x 1.080 Pixeln aufnehmen kann. Die Kamera speichert auf SDHC-Karten und ist mit einem 3fach-Zoom ausgerüstet. Die Aiptek PocketDV AHD Z600 wiegt nur 183 Gramm.
Toshiba hat NAND-Flash-Module mit 32 GByte Kapazität vorgestellt, die für den Einsatz in Geräten wie Mobiltelefonen und Videokameras vorgesehen sind. Laut Toshiba handelt es sich um die NAND-Module mit der derzeit höchsten Speicherdichte.
Die Europäische Agentur für Netz- und Informationssicherheit hat eine Broschüre veröffentlicht, die Unternehmen über die Gefahren bei der Nutzung mobiler USB-Speicher aufklärt. Die Behörde gibt darin Hinweise zum sicheren Umgang mit den Speichermedien.
Mit der pSSD-Serie stellt SanDisk eine Reihe von Solid State Disks (SSD) für besonders kleine und günstige Rechner vor. Sie sind laut Hersteller klein, nehmen wenig Leistung auf und können auch bei ruppigem Umgang mit Mini-Notebooks ihre Daten zuverlässig liefern.
IM Flash, das Joint Venture von Intel und Micron, hat die ersten Flash-Bausteine in NAND-Bauweise mit einer Strukturbreite von 34 Nanometern vorgestellt. Die neuen Chips sollen noch im Jahr 2008 für billigere Flash-Festplatten sorgen.
Shozo Saito, President bei Toshiba Semiconductor, geht davon aus, dass in drei Jahren jedes vierte ausgelieferte Notebook über ein Solid State Drive (SSD) verfügt. Von 2006 bis 2010 werde der Markt für NAND-Flash-Speicher jährlich um 133 Prozent wachsen.
Panasonic hat mit der HPX-170 eine neue professionelle, tragbare Videokamera ohne Bandspeicher vorgestellt. Sie wird mit den Flashspeichern des Typs P2 bestückt, die von Panasonic entwickelt wurden und vier SD-Speicherkarten in einem Gehäuse beinhalten, die zur Erhöhung der Speichergeschwindigkeit wie ein RAID zusammengeschaltet sind. Der 1080p-Camcorder hat ein 13fach-Zoom mit 28 mm (KB) Anfangsbrennweite.
Noch im Jahr 2008 will Intel eine eigene Serie von "Solid State Discs" (SSD) auf den Markt bringen. Diese Flash-Festplatten werden aber nicht in den Einzelhandel gelangen, sie sind für PC-Hersteller gedacht. Daher gibt es auch noch keine konkreten Termine oder Preise.
Numonyx, das gemeinsame Flash-Speicher-Unternehmen von Intel, STMicroelectronics und Francisco Partners, geht an den Start. Vom Start weg darf Nymonyx als Schwergewicht im Markt betrachtet werden, denn rechnerisch hätte Numonyx im letzten Jahr einen Umsatz von rund 3,6 Milliarden US-Dollar erzielt.
Toshiba hat die Prognose für sein im März 2008 endendes Geschäftsjahr 2007/2008 vorgelegt - und muss wie erwartet durch das HD-DVD-Ende einen Umsatz- und Gewinnrückgang verbuchen. Auch die sinkenden Preise für NAND-Flash-Speicher wirken sich auf das Geschäftsergebnis des Elektronikriesen aus.
Toshiba nimmt die Produktion von Solid State Drives (SSD) auf Basis von MLC-NAND-Flash auf und kündigt eine erste "Flash-Festplatte" mit 128 GByte an.
Intel hat seine Gewinnprognose für das erste Quartal 2008 gesenkt, die Bruttomarge werde nur bei 54 statt wie bisher geplant 56 Prozent liegen. Schuld sind niedrige Preise für NAND-Flash.
Android 3.2 beseitigt laut Samsung die Hürden für eine Aktualisierung des ersten Galaxy Tabs mit 7-Zoll-Bildschirm auf Honeycomb. Allerdings hat sich der Konzern noch nicht entschieden, wie es genau mit den 7-Zoll-Tablets weitergehen soll.
(Galaxy Tab Update)
Ein Entwickler hat eine Sicherheitslücke im Betriebssystem vom Kindle Touch entdeckt, Amazons erstem E-Book-Reader mit Touchscreen. Er hat einen Jailbreak bereitgestellt, mit dem sich das Gerät entsperren lässt.
(Kindle Touch)
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