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Micron-Konzernzentrale in Boise, Idaho
Micron-Konzernzentrale in Boise, Idaho (Bild: Micron)

Micron: Von 1Y-/1Z-DRAM-, 3D-Flash- und 3D-Xpoint-Plänen

Micron-Konzernzentrale in Boise, Idaho
Micron-Konzernzentrale in Boise, Idaho (Bild: Micron)

Micron hat einen Ausblick auf kommende Speichertechnologien gegeben: DRAM soll in feineren Strukturen gefertigt werden, 3D-NAND-Flash-Speicher mit TLCs wird zum Standard und ein Drittel aller Server mit zwei oder vier Sockeln sollen künftig 3D Xpoint nutzen.

Der Speicherhersteller Micron hat auf der Winter Analyst Conference über sich in Entwicklung befindliche Technologien gesprochen (PDF). Der Fokus liegt in den nächsten Monaten und Jahren auf DRAM der 10-nm-Klasse, was Strukturen zwischen 10 und 19 nm bedeutet, auf der ersten sowie zweiten Generation von 3D-NAND-Flash-Speichern mit drei Bits pro Zelle (TLC) und mittelfristig zudem auf 3D Xpoint für x86-basierte Server mit mehreren Sockeln.

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  • Präsentation zur Winter Analyst Conference (Bild: Micron)
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Präsentation zur Winter Analyst Conference (Bild: Micron)

Ab dem dritten Fiskalquartal 2016 sollen über 50 Prozent der DRAM-Chips im 20-nm-Verfahren produziert werden, die Chipausbeute (Yield) sei schon heute besser als beim 25-nm-Prozess. In der Fab 15 in Hiroshima, Japan, fährt Micron die Fertigung von DRAM mit 1X-nm-Technik hoch. In den nächsten Wochen soll die Produktion in den beiden Fabs in Taiwan anlaufen. Im 1X-nm-Verfahren hergestellter DRAM soll eine über 45 Prozent höhere Speicherdichte verglichen mit 20-nm-DRAM aufweisen und zudem über 20 Prozent günstiger sein.

Die nächsten Schritte für 2017 und 2018 sind die 1Y- und 1Z-Fertigung, die wie 1X für ein Verfahren zwischen 10 nm und 20 nm stehen. 1X könnte 19 bis 17 nm bedeuten, 1Y steht eventuell für 16 bis 14 nm und 1Z für 13 bis 10 nm - in die Karten lässt sich hier kein Hersteller schauen. Ein genereller Trend scheint sich hingegen abzuzeichnen: DRAM soll verstärkt in Server-Clustern eingesetzt werden, im Client-Segment werde die Nachfrage hingegen spürbar zurückgehen.

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Präsentation zur Winter Analyst Conference (Bild: Micron)

Beim 3D-NAND-Flash-Speicher gab Micron weitere Details bekannt: Die erste Generation mit MLC- und TLC-Technik befindet sich mittlerweile in der Serienfertigung, erste SSDs damit sollen im Sommer 2016 erscheinen. Micron nennt einen Kostenvorteil von über 25 Prozent durch die Idee, den Logik-Part des Flash anteilig unter die Flash-Schichten zu packen und den Chip somit kompakter zu gestalten. Zudem soll der 3D-NAND deutlich haltbarer (Endurance) sein als planarer Flash, da viel mehr Elektronen pro Zelle vorhanden sind - der Hersteller nannte den Faktor 50x. Die Chipausbeute der ersten 3D-Generation sei sehr gut, über 90 Prozent aller Dies könnten verwendet werden.

Im Jahr 2017 soll die zweite Generation von 3D-NAND-Flash-Speichern für Umsatz sorgen, die dritte und vierte befinden sich in der Entwicklungsphase. Verglichen mit der ersten Generation soll die zweite einen Kostenvorteil von über 30 Prozent liefern, erste Prototypen laufen derzeit vom Band und sollen ab Sommer 2016 auch in der Fab 10 in Singapur gefertigt werden. Spätestens Ende 2017 plant Micron, die Produktion von planarem Flash-Speicher einzustellen.

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Zum Abschluss gab Micron eine Prognose zu 3D Xpoint ab, das als nicht-flüchtiger Speicher zwischen extrem schnellem, aber flüchtigem DRAM und NAND-Flash positioniert wird. Bis 2022 geht Micron davon aus, dass 3D Xpoint in gut einem Viertel aller x86-Server mit zwei (2P) oder vier (4P) Sockeln verwendet werden könnte. Bei 3D Xpoint handelt es sich um Phase Change Memory mit kleineren Anpassungen. Die Serienfertigung soll wie geplant 2016 anlaufen, Samples an ausgewählte Partner werden bereits verteilt.


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Kleba 13. Feb 2016

Also wenn Micron als Hersteller davon ausgeht, dass 2022 (!) - wenn es gut läuft - ein...

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