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Reinraum der Fab 2 in Yokkaichi
Reinraum der Fab 2 in Yokkaichi (Bild: Flash Forward)

Flash-Speicher: Flash Forwards neue Fab 2 in Japan ist fertig

Reinraum der Fab 2 in Yokkaichi
Reinraum der Fab 2 in Yokkaichi (Bild: Flash Forward)

Toshiba und Western Digital alias Flash Forward haben nach rund zwei Jahren Bauzeit ein weiteres Halbleiterwerk in Yokkaichi, Japan eröffnet. In der neuen Fab 2 wird 3D-Flash-Speicher für SSDs produziert.

Das Joint Venture aus Toshiba und Western Digital namens Flash Forward hat eine Fertigungsanlage für NAND-Flash-Speicher in Betrieb genommen. Die Fab 2 steht nahe der Stadt Yokkaichi in der Präfektur Mie auf der japanischen Hauptinsel Honshu. Die Bezeichnung Fab ist eine in der Branche übliche Abkürzung für eine Semiconductor Fabrication Plant, in welcher Halbleiter produziert werden. Der Bau der neuen Fab 2 wurde im September 2014 begonnen und im Juli 2016 abgeschlossen.

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Laut Flash Forward belegt die zwei Stockwerke hohe Anlage eine Fläche von 27.600 Quadratmetern und verfügt über fünf Bereiche, darunter einen großen Reinraum. In der Fab 2 wird kein planarer NAND-Flash-Speicher produziert, sondern 3D-Flash mit übereinandergeschichteten Zellen. Marktführer Samsung und der drittgrößte Hersteller, das Joint Venture IMFT (Intel Micron Flash Technologies), fertigen bereits solchen NAND-Flash-Speicher.

  • Fab 2 in Yokkaichi (Bild: Flash Forward)
  • Fab 2 in Yokkaichi (Bild: Flash Forward)
  • Fab 2 in Yokkaichi (Bild: Flash Forward)
  • Fab 2 in Yokkaichi (Bild: Flash Forward)
Fab 2 in Yokkaichi (Bild: Flash Forward)

Erst vor wenigen Tagen hatte Flash Forward bekanntgegeben, innerhalb der kommenden drei Jahre knapp 15 Milliarden US-Dollar in Fabs investieren zu wollen. Die neue Fab 2 soll künftig eine doppelt so hohe Fertigungskapazität aufweisen wie Samsungs derzeit größte Fab. Flash Forward sieht es zudem als Vorteil an, anders als Samsung und Intel Micron Flash Technologies alle Werke zentral an einem Ort und nicht weltweit verteilt zu haben.

Samsung beispielsweise produziert in Südkorea und in den Vereinigten Staaten, Intel Micron Flash Technologies ebenfalls in den USA, aber auch in der Republik China (Fab 68 in Dalian) und in Singapur. Der Vorteil von 3D- verglichen mit planarem Flash-Speicher sind die weiter auseinandersitzenden Zellen mit mehr Elektronen, was Ladungsverluste und Noisy Neighbors verringert und so die Haltbarkeit sowie Geschwindigkeit der Speicherzellen erhöht. Zudem steigt die Kapazität pro Fläche, was größere SSDs ermöglicht.


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ms (Golem.de) 15. Jul 2016

Ja, das US-Komma hat mich da wohl verwirrt.

Alf Edel 15. Jul 2016

... anders als Samsung und Intel Micron Flash Technologies alle Werke zentral an einem...



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