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Bei der 10-Nanometer-Fertigung soll EUV-Lithografie eingesetzt werden.
Bei der 10-Nanometer-Fertigung soll EUV-Lithografie eingesetzt werden. (Bild: ASML)

Chipfertigung: 7-Nanometer-Technik arbeitet mit EUV-Lithografie

Bei der 10-Nanometer-Fertigung soll EUV-Lithografie eingesetzt werden.
Bei der 10-Nanometer-Fertigung soll EUV-Lithografie eingesetzt werden. (Bild: ASML)

2018 soll es soweit sein: Der Chipmaschinenausrüster ASML plant die EUV-Lithografie als Option für den 7-Nanometer-Prozess. Zu den Kunden zählt TSMC, Intel ebenfalls.

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ASML hat auf dem Investor Day 2014 seine Pläne für die EUV-Lithografie bekanntgegeben. Der niederländische Hersteller von Belichtungsmaschinen lieferte weitere Systeme an TSMC aus, Intel soll laut ASML bereits vier EUV-Maschinen einsetzen.

Geplant ist die Belichtung mit Extreme Ultra Violet (EUV) für die 10-Nanometer-Fertigung von DRAM-, NAND- und einfachen Chips. Diese soll 2016 starten, große Prozessoren sollen 2018 zusammen mit der 7-Nanometer-Technik folgen. EUV setzt auf extrem kurze Wellenlängen, ohne die weitere Shrinks noch schwieriger werden.

  • EUV soll mittelfristig die Kosten verringern. (Bild: ASML)
  • Für große Chips wird EUV erst bei 7 nm eingesetzt. (Bild: ASML)
  • Mehrere EUV-Systeme sind bereits ausgeliefert. (Bild: ASML)
  • Neue EUV-Belichtungsmaschinen sollen den Wafer-Durchsatz erhöhen. (Bild: ASML)
  • Intel plant 10 nm noch ohne EUV. (Bild: Intel)
  • EUV arbeitet mit extrem kurzwelligen Röntgenstrahlen. (Bild: ASML)
Für große Chips wird EUV erst bei 7 nm eingesetzt. (Bild: ASML)

TSMC arbeitete bisher mit zwei NXE:3300B genannten Belichtungsmaschinen, nun kommen zwei neuere NXE:3350B hinzu und die beiden vorhandenen NXE:3300B werden aufgerüstet. Intel soll vier NXE:3300B nutzen, einer älteren Präsentation zufolge ist ebenfalls die Aufrüstung zu NXE:3350B geplant.

ASML erwartet pro NXE:3350B einen Wafer-Durchsatz von knapp 1.200 Scheiben pro Tag, wenn die 100-Watt-Version der Belichtungsmaschinen verwendet wird. Der leistungsschwächere 80-Watt-Prototyp erreicht etwas mehr als 900 und die aktuellen 40-Watt-Geräte unter 400 Wafer pro Tag.

Mit nur vier NXE:3350B kann TSMC keine Serienproduktion mit EUV-Lithografie und 10-Nanometer-Technik aufnehmen, bei dieser Strukturgröße soll vielmehr Schritt für Schritt die Abkehr von der Immersionslithografie erfolgen. Auch Intel plant die 10-Nanometer-Fertigung ohne EUV-Lithografie, bereitet sich aber ebenfalls darauf vor, diese Belichtung Art der Belichtung einzusetzen.

  • EUV soll mittelfristig die Kosten verringern. (Bild: ASML)
  • Für große Chips wird EUV erst bei 7 nm eingesetzt. (Bild: ASML)
  • Mehrere EUV-Systeme sind bereits ausgeliefert. (Bild: ASML)
  • Neue EUV-Belichtungsmaschinen sollen den Wafer-Durchsatz erhöhen. (Bild: ASML)
  • Intel plant 10 nm noch ohne EUV. (Bild: Intel)
  • EUV arbeitet mit extrem kurzwelligen Röntgenstrahlen. (Bild: ASML)
Intel plant 10 nm noch ohne EUV. (Bild: Intel)

Der Roadmap von ASML zufolge soll erst Intels P1276-Prozess ab 2018 mit EUV arbeiten. Hinter dieser Bezeichnung verbirgt sich die 7-Nanometer-Technik für CPUs, zuvor wird Intel weiterhin Immersionslithografie nutzen. Die enge Zusammenarbeit verwundert wenig, hält Intel doch 15 Prozent an ASML.


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martynyuu 26. Nov 2014

Im Artikel zu Intels neuen 14nm cpus stand doch das sich die Strukturen unterm Mikroskop...

Stebs 26. Nov 2014

Er meinte bestimmt die englische Wikipedia und nicht die kastrierte "fehlende Relevanz...

Netzweltler 25. Nov 2014

Das sind Evaluierungsmaschinen. Mit diesen will man die Technologie kennenlernen...



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