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Samsungs RRAM (Resistive Random Access Memory )
Samsungs RRAM (Resistive Random Access Memory ) (Bild: Samsung/Golem.de)

Samsung RRAM

Flash- und Arbeitsspeicher der Zukunft?

Samsung entwickelt einen neuen nichtflüchtigen Speichertyp. Der Resistive Random Access Memory (RRAM) soll stromsparender und um ein Vielfaches schneller sein als aktuelle Flashspeicher - und sogar als Arbeitsspeicher taugen.

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Samsungs Ingenieure arbeiten an einem neuen Flashspeicher, dem Resistive Random Access Memory (RRAM). Der nichtflüchtige Speicher basiert nicht auf Silizium, sondern auf einem Oxyd mit der Bezeichnung Taox. Material und Struktur des demonstrierten asynchronen, passiven Schaltgeräts sollen zu einer drastischen Reduktion des Stromverbrauchs, extremer Haltbarkeit und einer hohen Schaltgeschwindigkeit von 10 ns sogar als Arbeitsspeicher dienen können.

  • Aufbau von Samsungs RRAM (Bild: Hersteller)
Aufbau von Samsungs RRAM (Bild: Hersteller)

Außerdem soll es durch Kombination zweier solcher Schaltgeräte mit einer Schottky-Barriere möglich sein, komplett auf diskrete Transistoren oder Dioden zu verzichten und damit Probleme mit Leckströmen in High-Density Crossbar Arrays zu beseitigen.

Das Paper "A fast, high-endurance and scalable non-volatile memory device made from asymmetric Ta2O5−x/TaO2−x bilayer structures" wurde am 10. Juli 2011 online bei Nature Materials veröffentlicht.


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tilmank 16. Jul 2011

Das freut mich doch sehr, habe da einige Recherche-Zeit reingesteckt :D

Ooorndt 14. Jul 2011

Ordnungszahl 73 ;) http://de.wikipedia.org/wiki/Tantal

Der Kaiser! 14. Jul 2011

Mit dieser Technik wären wir bei PCs, die innerhalb von Sekunden einsatzbereit wären. :D

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