Halbleiterfertigung

Intel braucht EUV nicht für 22 und 15 Nanometer

IDF

Die Belichtung mit Röntgenstrahlen, auch "Extreme Ultra Violet" (EUV) genannt, lässt in der Serienfertigung von Halbleitern weiter auf sich warten. Intel, einst Vorreiter der Technologie, plant nicht, sie in den nächsten beiden Strukturbreiten einzusetzen.

Während des letzten IDF in San Francisco nahm Intels Cheftechniker (CTO) Justin Rattner vor Journalisten Stellung zu Fragen der Halbleiterfertigung. Bereits seit Anfang des Jahres 2010 liefert Intel Prozessoren mit 32 Nanometern Strukturbreite, 2011 sollen dann 22 Nanometer mit der Architektur "Ivy Bridge" aktuell sein.

Gemäß Intels Tick-Tock-Strategie, bei der alle zwei Jahre die Transistoren dichter gepackt werden müssen, wären im Jahr 2013 dann 15-Nanometer-Strukturen fällig. Wie Intel diese herstellen will, hatte das Unternehmen bisher noch nicht gesagt. Justin Rattner sagte aber in San Francisco, dafür käme die EUV-Lithographie nicht zum Einsatz. Dass Intel EUV auch für die 22-Nanometer-Fertigung nicht braucht, war bereits bekannt. Rattner meinte, die Technik "sei noch immer viel zu teuer".

Auf Nachfrage erklärte Intels CTO, man forsche dennoch weiter an EUV, irgendwann seien kürzere Wellenlängen für die Belichtung sicher nötig. Bisher habe man aber vor allem durch Fortschritte in der hauseigenen Maskenfertigung - die manchE andere Unternehmen ausgelagert haben - den Schritt zu Röntgen immer noch vermeiden können. Dazu habe Intel inzwischen seine größten Supercomputer in den Maskenfabriken und nicht mehr in der Entwicklung von Architekturen, sagte Rattner.

EUV war schon für 2009 geplant

Diese Absage an EUV für weitere drei Jahre ist ein neuerlicher Rückschlag für die Technologie. Bereits im Jahr 2004 hatte Intel erklärt, dass schon für Strukturbreiten um 30 Nanometer EUV geplant sei - demnach wären auch die aktuellen Core-i-Prozessoren schon damit hergestellt worden. Neben Intel forschen alle großen Chiphersteller an EUV, darunter AMD, Hitachi und IBM.

Erst 2008 konnte die Halbleiterbranche aber einen ersten Testchip mittels EUV herstellen. 2009 gab Intel dann bekannt, dass schon bei Strukturbreiten jenseits von 22 Nanometern die Bauweise der Transistoren und die Entwicklung der Fertigungstechnik vielleicht nicht mehr vom größten Halbleiterhersteller der Welt alleine bewältigt werden könne.

Die Veränderungen der Bauweisen, so Intel damals, müssten nach der 22-Nanometer-Technik ebenso grundlegend erfolgen, wie es die High-k-Metal-Gate-Transistoren im Jahr 2007 waren. Diese Form von Transistoren, bei denen das Gate aus einem Metall besteht, hat sich seitdem in der Halbleiterbranche durchgesetzt. Wie der nächste Trick aussieht, ist noch nicht abschließend erforscht.