ReRAM

Hynix soll HPs Memristor in Serie herstellen

Seit vier Jahren erforscht Hewlett-Packard verstärkt den Memristor, der als Nachfolger von Flash und DRAM gehandelt wird. Nun hat das Unternehmen mit Hynix eine Partnerschaft geschlossen, die erste Serienprodukte hervorbringen soll. Einen Namen für das Produkt gibt es auch schon: ReRAM.

Von früheren Ankündigungen rückt HP jetzt etwas ab. Wie Memristor-Forscher Stan Williams im Firmenvideo angibt, sollen die ersten Memristor-Produkte USB-Sticks oder SSDs für digitale Kameras ähneln. Von einem Ersatz für DRAM, für den sich das Bauteil wegen hoher Geschwindigkeiten auch eignen soll, ist nun nicht mehr die Rede.

Hynix soll mit seinen Halbleiterwerken die jetzt ReRAMs genannten Komponenten herstellen. Der Name ist wohl kaum zufällig gewählt: In englischer Aussprache klingt ReRAM fast wie DRAM, das Ziel des Universalspeichers scheint HP also weiter verfolgen zu wollen. Bereits im April 2010 hatte HP angekündigt, den Memristor zur Serienreife entwickeln zu wollen, die Suche nach einem geeigneten Partner zog sich offenbar hin.

Dem Wall Street Journal sagte Williams, die Wahl sei auf Hynix gefallen, weil sich dieses Unternehmen noch nicht für eine andere Zukunftstechnologie entschieden habe. Mit dem Memristor konkurrieren unter anderem Samsungs PRAM und IBMs Racetrack-Memory.

Memristor aus Titandrähten

Einen Zeitrahmen für die ersten Produkte nennen weder HP noch Hynix. Vor einem halben Jahr ging Stan Williams von etwa drei Jahren bis zu ersten Produkten aus. Selbst dann wäre ReRAM aber gegenüber Flash noch konkurrenzfähig: Derzeit kann HP im Labor die Titandrähte, aus denen ein Memristor besteht, mit einer Breite von 3 Nanometern herstellen.

Nach den bisherigen Roadmaps der Flashbranche erreichen deren Bauteile in drei Jahren etwa 16 Nanometer. Die kleinsten Flashs in Serie mit rund 24 Nanometern fertigen derzeit IM Flash, Samsung und Toshiba.

Der Memristor wird auch als das "vierte Element" der Elektronik bezeichnet. Neben Spule, Kondensator und Widerstand hatte der Ingenieur Leon Chua den Memristor bereits 1971 vorausgesagt, aber erst 2008 konnte ein Team um Stan Williams von HP ihn bauen. Der Name des Bauelements ist ein Kunstwort, das seine Eigenschaft beschreibt, sich einen Widerstand zu merken. Dieser Widerstand bleibt auch gleich, wenn keine Spannung mehr anliegt. Damit eignet sich der Memristor zum Speichern von Informationen.