DDR NAND

Schnelle SSD mit 512 GByte von Samsung

Samsung kündigt eine neue Generation von SSDs an, die dank sogenannter DDR-NAND-Chips besonders schnell sein soll. Samsung verspricht Datenraten von bis zu 250 MByte/s.

Samsungs erste SSD mit DDR-NAND kommt mit Kapazitäten von bis zu 512 GByte auf den Markt. Die Ende 2009 vorgestellten DDR-NAND-Chips werden in 30-Nanometer-Technik gefertigt und bieten eine Kapazität von 32 GBit. Sie verfügen laut Samsung über eine "asynchrone DDR-Schnittstelle", über die die MLC-Bausteine Daten mit 133 statt 40 MBit/s übertragen sollen.

Kombiniert mit einer SATA-Schnittstelle mit 3 GBit/s soll die SSD eine Geschwindigkeit von 250 MByte/s beim Lesen und 220 MByte/s beim Schreiben erreichen.

Schnelle Samsung-SSD mit NAND-Speichern

Ein speziell entwickelter Controller soll dafür sorgen, dass die Leistungsaufnahme der SSDs gering ausfällt. Samsung nennt keine konkreten Daten, verspricht aber, dass die neuen SSDs nicht mehr Leistung aufnehmen als eine SSD mit 40-Nanometer-Chips und 256 GByte Kapazität. Der Controller soll dazu unter anderem das Nutzerverhalten analysieren, um die SSD automatisch in einen Stromsparmodus zu versetzen, der die Akkulaufzeit eines Notebooks um eine Stunde und mehr verlängern soll.

Die SSD unterstützt zudem eine AES-Verschlüsselung mit 256 Bit und Trim-Funktionen, um die Lebensdauer der SSD zu verlängern.

Samsung will die Massenproduktion seiner neuen SSD-Generation im Juli 2010 starten und SSD mit Kapazitäten von 64 bis 512 GByte anbieten. Preise nannte der Hersteller noch nicht.