DRAM-Trends aus Taiwan

Blinkende Speicherkühler und DDR3 über 2.500 MHz

Computex

DDR4 ist noch in weiter Ferne und die Preise für Speichermodule steigen kontinuierlich - da müssen sich die DRAM-Hersteller etwas einfallen lassen. Auf der Computex werden bei den für Übertakter vorgesehenen Riegeln alte Ideen wieder ausgegraben, aber auch neue Rekorde gesetzt.

Mit einem effektiven Takt von 2.333 MHz bei nur 1,65 Volt ist das neue Triple-Channel-Kit von Kingston nach Angaben des Herstellers das schnellste derartige Speicherpaket mit einer Zertifizierung von Intel (PDF). Durch den Test des Prozessorherstellers sollte es auch in X58-Mainboards mit dem hohen Takt stabil laufen.

Intel garantiert das Überleben des integrierten Speichercontrollers der Core-i-Prozessoren nur bei Spannungen bis 1,65 Volt, per JEDEC-Spezifikation sind für DDR3 sogar nur 1,5 Volt vorgesehen. Für P55-Mainboards gibt es von Kingston bereits seit März Dual-Channel-Kits, die bei gleicher Spannung sogar auf 2.400 MHz kommen. In beiden Fällen stellen sich die Mainboards über Intels XMP-Profile automatisch auf die Speicher ein.

Für derart hohe Takte bei geringen Spannungen - Übertaktungen von Hand sind längst in viel höhere Bereiche vorgestoßen - müssen die Speicherhersteller in der Regel die Latenzen anheben, so dass sich der vermeintliche Vorteil der hohen Frequenz fast egalisiert. Im Falle der neuen HyperX-Module von Kingston liegt die CAS-Latenz (CL) bei noch vertretbaren neun Takten. Die anderen Werte von insgesamt 9-11-9-27 sind jedoch im Vergleich zu den verbreiteten DDR3-1333-Modulen, die meist mit 9-9-9-24 arbeiten, recht hoch.

Dafür bieten die Übertaktermodule meist mehr Reserven für manuelle Eingriffe. Im Falle der aktuellen Kits von Kingston waren auf dem Gigabyte-Board GA-P55A-UD4P schon 2.544 MHz Speichertakt möglich, wie das Unternehmen in Taipeh zeigt. Das war bisher aber nur mit den Dual-Channel-Kits möglich, deren Latenzen dafür auf 9-11-10-31 angehoben werden mussten. Auch dabei wurden die 1,65 Volt eingehalten.