Start-up verspricht Flashnachfolger mit weniger Transistoren

CMOx-Speicher mit höherer Kapazität, Tempo und Langlebigkeit

Gleich drei Wünsche auf einmal will das seit Jahren mit Millionen aufgebaute US-Unternehmen "Unity Semiconductor" erfüllen: Sein neuer Speichertyp namens "CMOx" soll schneller als NAND-Flash, aber noch günstiger herzustellen und viel langlebiger sein. Zu den Unterstützern gehört auch ein mysteriöser Festplattenhersteller.

Zwei Punkte unterscheiden das Unternehmen Unity, das sich nun erstmals an die Öffentlichkeit gewagt hat, von vielen anderen Start-ups der Halbleiterbranche. Zum einen soll es die Firma mit sieben Jahren schon vergleichsweise lange geben, und zum anderen will sie bereits 53 Millionen US-Dollar an Risikokapital ausgegeben haben, wozu nun weitere 22 Millionen kommen. Die Investitionen stammen von den Finanzhäusern August Capital, Lightspeed Ventures und Morgenthaler Ventures.

Ein weiterer Anleger ist laut Unity "ein großer Festplattenhersteller, der ebenfalls schon mehrfach investiert hat". Den Namen dieses Unternehmens nennt das Start-up nicht. Dabei könnte es sich beispielsweise um Seagate handeln, welche noch keine SSDs anbieten, aber wiederholt ihren Einstieg in dieses Marktsegment angekündigt hatten.

Vier Lagen der Gitter

SSDs sind auch eines der Einsatzgebiete für die Technik namens "CMOx". Die bereits als Marke geschützte Bezeichnung ist ein Kunstwort aus CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), der Bauform der meisten Logikbausteine, und der in den USA gebräuchlichen Abkürzung "Ox" für Sauerstoff.

Sauerstoffionen sind es nämlich auch, die die Information in einem CMOx-Baustein speichern sollen. Der eigentliche Informationsträger ist also kein Transistor, wie bei einem NAND-Flash, sondern das Sauerstoffion. Dennoch zielt CMOx auf denselben Einsatzbereich, denn die Information geht anders als bei einem DRAM nicht verloren, wenn die Spannung abfällt. Da zudem nicht mit Spannungen, sondern nur mit Ladungen geschrieben wird, soll sich CMOx zudem kaum abnutzen.

Die Ionen sollen sich bei CMOx-Chips an den Kreuzungspunkten von verschiedenen Metalloxiden anlagern, die Bezeichnungen dieser Materialien nennt das Unternehmen noch nicht. Die Kreuzungen entsprechen damit den Zellen eines Flashspeichers und bestimmen die Kapazität. Diese soll bei CMOx aber bei gleicher Chipfläche rund viermal so groß sein wie bei NAND-Flash in der Bauweise mit Multi-Level-Cells (MLC).