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Samsung: DDR3-Chips mit 8 GBit für Module mit 32 GByte

Neue DDR3-Chips in 50-Nanometer-Technik und mit verringertem Stromverbrauch

Samsung hat einen DDR3-Speicherchip mit einer Kapazität von 4 GBit in 50-Nanometer-Technik entwickelt. Mit Dual-Die-Gehäusen lassen sich damit DDR3-Speichermodule mit bis zu 32 GByte Speicherkapazität herstellen.

DDR3-Chip mit 4 GBit von Samsung
DDR3-Chip mit 4 GBit von Samsung
Samsungs 4-GBit-DDR3-Chip arbeitet mit einer Spannung von 1,35 Volt und soll 20 Prozent schneller sein als ein DDR2-Chip mit 1,5 Volt. Den maximalen Datendurchsatz des Chips gibt Samsung mit 1,6 GBit/s an.

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In einem 16-GByte-Modul sollen die neuen Speicherchips rund 40 Prozent weniger Strom verbrauchen als DDR3-Module mit 2-GBit-Chips, schließlich müssen bei gleicher Kapazität nur halb so viele Chips mit Strom versorgt werden - 32 statt 64.

Laut Samsung können die neuen Chips in RDIMMs mit 16 GByte für Server, ungepufferten 8-GByte-DIMMs für Workstations und Desktops-PCs sowie in SODIMMs für Laptops eingesetzt werden, die ebenfalls 8 GByte Kapazität bieten. Mit Dual-Die-Gehäusen lassen sich Speicherriegel mit bis zu 32 GByte Kapazität herstellen.

Wann erste Module mit den neuen Chips auf den Markt kommen werden, verriet Samsung nicht.


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nemesis 02. Feb 2009

Man muss einfach nur die richtigen Programme bei solchen Spielereien verwenden. Selbst...

:-) 01. Feb 2009

3 Jahre Laufzeit für ein neues Gerät und 6 Jahre Laufzeit für den Kredit dafür. Wie man...

Trolli der... 30. Jan 2009

In dieser Hinsicht haben sich auch schon einige sehr berühmte Leute geirrt: 640K ought...

klugscheißer 30. Jan 2009

Ich denke die Kurve ist keine gerade sondern eine Asymptote. Für nicht-grafische Büro...

Txt.file 30. Jan 2009

Wenn die Anwendungsentwickler endlich mal mehr im RAM auslagern, dann kommt mein Debian...

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