Auch AMD, Chartered und IBM mit "High-k" für 32 Nanometer

Neues Dielektrikum soll Umstieg auf kleinere Strukturbreiten beschleunigen

Was Intel schon bei seinen 45-Nanometer-Prozessoren in der Serienfertigung einsetzt, soll 2009 auch bei IBM und seinen Technologie-Partnern verwendet werden. Ein neuer Isolator für die Transistoren in 32-Nanometer-Chips soll viel Strom sparen und den Wechsel zur nächstkleineren Strukturbreite beschleunigen.

Ende Januar 2007 hatte Intel seinen 45-Nanometer-Prozess als Durchbruch gefeiert - dabei kommt erstmals in der Halbleiterbranche eine Hafnium-Verbindung als Isolator zum Einsatz, was auch als High-k-Dielektrikum bezeichnet wird. Intels größter Konkurrent in der Entwicklung moderner Herstellungsverfahren für Halbleiter ist IBM, die zusammen mit Chartered und AMD derzeit an einem 32-Nanometer-Prozess forschen. Schon bei den für 2008 erwarteten Chips mit 45 Nanometern Strukturbreite will das Konsortium um IBM High-k-Materialien einsetzen.

IBMs SRAM in 32 Nanometern Das gilt auch für die nächste Generation, die laut IBM in der zweiten Hälfte des Jahres 2009 serienreif sein soll. Genau drei Monate nach Intel hat IBM jetzt einen Wafer gezeigt, auf dem in 32-Nanometer-Technik gebaute SRAM-Zellen sitzen. Die statischen Speicher eignen sich wegen ihrer einheitlichen Struktur auf dem Chip besonders gut als Testvehikel für neue Fertigungsverfahren.

IBM-Forscher mit Test-Wafern Die Schaltgeschwindigkeiten sollen durch die neuen Materialien um 30 Prozent steigen, die Leistungsaufnahme bei gleichem Takt gegenüber 65-Nanometer-Chips um rund 45 Prozent fallen. Neben IBM, Chartered und AMD beteiligen sich auch Freescale, Infineon und Samsung an der Entwicklung des 32-Nanometer-Prozesses, der bisher aber unter der Federführung von IBM in East Fishkill im US-Bundesstatt New York erforscht wird.