Intels "Penryn" mit mehr Cache und neuartigen Transistoren

45-Nanometer-Prozess bringt Gates aus Metall statt Silizium

Die "größte Veränderung in der Transistor-Technik seit den 60er-Jahren" feiert Intel mit seinem jetzt vorgestellten Verfahren für die Herstellung von Prozessoren in 45 Nanometern Strukturbreite. Neue Materialien sollen für die Core-2-Prozessoren ab Mitte 2007 größere Caches und mehr Takt bringen.

Intel schlägt regelmäßig viel PR aus seiner weltweit führenden Prozessor-Fertigung, diesmal nahmen die Entwickler aber reichlich oft Worte wie "Durchbruch" in den Mund. Im Rahmen einer Telefonkonferenz erklärte Mark Bohr, Intels Leiter der Abteilung für Halbleiterfertigung und als "Senior Fellow" einer der Vordenker des Konzerns, wie die kommenden Prozessoren mit dem bisher als "Penryn" bekannten Kern hergestellt werden.

Dass Intel mit Penryn bereits Mitte 2007 von den bisher 65 Nanometern Strukturbreite der Core-2-Prozessoren zu 45 Nanometern wechseln will, hatte das Unternehmen bereits im Januar 2006 angekündigt. Noch nicht bekannt war bisher, wie Intel bei den feinen Strukturen das Problem der Leckströme - eine der Achillesfersen des Pentium 4 - und höhere Schaltgeschwindigkeiten bei weniger Spannung in den Griff bekommen will.

Alte und neue Transistoren im Vergleich Die Lösung steckt in zwei Design-Neuheiten der Transistoren: So ist zum einen der eigentliche "Schalter", das Gate, nicht mehr aus Polysilizium, sondern aus einem nicht näher bezeichneten Metall. Intel will hier Schaltgeschwindigkeiten von 300 Milliarden Zustandswechseln pro Sekunde erreichen, was etwa 20 Prozent schneller als bei bisherigen CPU-Transistoren ist. Diese Angabe ist jedoch nicht mit dem internen Prozessortakt zu verwechseln. Dennoch erwartet Intel von seinem 45-Nanometer-Prozess höhere Takte, und, wie man auf Nachfragen von Golem.de erklärte, auch größere Caches für Penryn und Konsorten. Vermutlich werden die größeren L2-Caches wie bei bisherigen Intel-Generationen zunächst bei den Xeons Einzug halten.