Intels "Penryn" mit mehr Cache und neuartigen Transistoren
Dazu stehen zunächst mit der Fab "D1D" im US-Bundesstaat Oregon und der "Fab 32" in Arizona zwei Halbleiterwerke bereit, in denen Intel in der zweiten Hälfte des Jahres 2007 die Serienproduktion von 45-Nanometer-Chips aufnehmen will. 2008 soll dann noch die "Fab 28" in Israel dazukommen. Bereits 2009 will Intel dann laut seiner Roadmap - während parallel noch 45 Nanometer aktuell sind - Prozessoren in 32 Nanometern Strukturbreite herstellen. Spätestens für den nächsten Schritt mit 22 Nanometern sind dann aber radikal neue Belichtungsverfahren mittels Röntgen nötig. Diese weitere Verkleinerung der Strukturbreite dauert auch bei Intel folglich noch bis 2011.

Das Die des Penryn
Sehr viel näher liegt aber der Penryn. Wie Steve Smith gegenüber Golem.de erklärte, hat Intel bereits fünf verschiedene Prozessoren mit diesem Kern als Prototypen lauffähig hergestellt. Sie sollen als Dual- und Quad-Cores auf den Markt kommen. Dabei sind jedoch noch keine vier Kerne auf einem "monolithischen Die" geplant, wie dies AMD für seinen "Barcelona" vorgesehen hat. Intel beharrt darauf, dass sein Multichip-Design mit zwei Dual-Core-Dies in einem Gehäuse billiger herzustellen ist.
Zwar kostet der FSB, über den alle vier Cores angesprochen werden müssen, dabei etwas Leistung, dies will Intel aber über größere Caches abfangen. In den Unterlagen zur 45-Nanometer-Vorstellung finden sich auch Angaben zur Transistorzahl: 410 Millionen für Dual-Cores, 820 für Quad-Cores. Dies dürfte einer Verdopplung auf 8 MByte pro Die entsprechen, gegenüber den bisher 4 MByte für den "Conroe"-Kern des Core 2 Duo. Damit werden die Chips dann nicht sparsamer, aber auch nicht stromhungriger als bisherige Prozessoren. Laut Steve Smith peilt man weiterhin 35 oder 65 Watt für Desktop-CPUs an, und 80 bis 120 Watt bei Server-Prozessoren. Wie sparsam die neuen mobilen Penryns werden sollen, verriet Intel noch nicht. Fest steht aber, dass Penryn bereits die Befehlssatz-Erweiterung SSE4 mitbringen wird.
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Mein Beitrag ist auch futsch. Will mal glauben, dass da kein böser Wille dahinter steht...
warum ist diese nachricht nicht schon längst in den untiefen des golemschen archives...
Also mal aufs TEM-Foto geguckt und Funktionsweise erraten: - Low resistance Layer: Klar...
jep definitiv.. ich freue mich schon auf neue prozessoren im nächsten jahr.. ende disen...
High-k-Dielektrikum und Metallelektroden heißt das zeug
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