Intel und Micron: Neue Flash-Fabrik in Singapur

Halbleiter-Werk soll Mitte 2008 erste Produkte liefern

Das Gemeinschaftsunternehmen "IM Flash Technologies" von Intel und Micron will in Singapur eine neue Fabrik für die Fertigung von NAND-Flash errichten. In nur einem Jahr soll das Werk vom ersten Spatenstich bis zur Serienfertigung gebracht werden und dann auf 300 Millimeter durchmessenden Wafern Flash-Speicher mit 50 Nanometern Strukturbreite herstellen.

Das neue Werk wäre im Jahre 2008 die vierte Fertigungsstätte von IM Flash. Bereits seit Ende 2005 arbeiten die beiden Halbleiter-Riesen zusammen, Micron hält an dem im Januar 2006 gegründeten Unternehmen mit 51 Prozent die Mehrheit. Hergestellt werden die Flash-Bausteine bisher im traditionsreichen Micron-Werk im US-Bundesstaat Idaho sowie in einer zugekauften und auf 300-Millimeter-Wafer umgerüsteten Fab in Virgina. Anfang 2007 soll im US-Bundesstaat Utah ein weiteres Werk für die großen Wafer hinzukommen.

Mit der neuen Fab in Singapur und dann vier Halbleiter-Werken von IM Flash will sich das Unternehmen weitere Marktmacht sichern. Durch die boomenden Absatzzahlen von Digitalkameras und Smartphones steigt der Bedarf nach günstigem Flash-Speicher in NAND-Bauweise bei fallenden Preisen kontinuierlich. Da Intel zudem in Zukunft mit seinem Konzept Robson etliche hundert Megabyte Flash-Speicher auf Mainboards verbaut, wird die Nachfrage nach den statischen Speichern zusätzlich erhöht. Mit der neuen Centrino-Plattform Santa Rosa wird schon im zweiten Quartal 2006 das erste Design mit Flash-Speichern auf Mainboards erwartet.

Also muss die hauseigene Fertigungskapazität für Flash schnell ausgebaut werden. In der ersten Hälfte des Jahres 2007 soll in Singapur der erste Spatenstich erfolgen, Mitte 2008 soll die Fabrik dann bereits die Serienfertigung aufnehmen. Wie viel Intel und Micron in Singapur investieren wollen, gaben die Firmen nicht bekannt, sprachen aber von einer "Multi-Milliarden-Dollar-Fabrik". Auch mit staatlichen Förderungen kosten moderne Fabs heute ingesamt um 2 Milliarden US-Dollar.