SiS, Samsung, ASUS und Rambus entwickeln RDRAM-Chipsatz

Hohe Leistung dank 4-Kanal-Speicherzugriffen versprochen

Der Chipsatzhersteller Silicon Integrated Systems (SiS), der Elektronik- und Speicherhersteller Samsung Electronics, der Mainboard-Hersteller ASUS sowie das Speichertechnologie-Unternehmen Rambus haben die gemeinsame Entwicklung eines neuen RDRAM-basierten PC-Chipsatzes angekündigt. Das SiS R659 getaufte Produkt soll dank 4-Kanal-Speicherzugriffen besonders hohe Leistung für PC-Workstations und Spiele-Rechner bieten.

Der R659 wird der zweite RDRAM-fähige Chipsatz von SiS und soll mittels noch nicht verfügbaren 1.200-MHz-RDRAM-Modulen sowie 4-Kanal-Speicherzugriffen eine maximale Speicherbandbreite von 9,6 GByte/s erreichen. Dies soll 50 Prozent über dem von konkurrierenden Zwei-Kanal-DDR-SDRAM-Chipsätzen liegen. Auch mit im Handel verfügbaren 800 MHz und 1.066 MHz RDRAM-Modulen würden 4-Kanal-Zugriffe zu hoher Leistung führen. Weitere Verbesserungen sorgen laut SiS für deutlich schnellere Antwortzeiten der Elektronik und erlauben darüber hinaus einen maximalen Speicherausbau von 16 GByte.

Gemeinsam mit der Southbridge SiS 964 soll der SiS R659 bis zu acht USB-2.0-Ports und zudem Serial ATA unterstützen. Erste Muster sollen Mainboard-Herstellern im dritten Quartal 2003 zur Verfügung stehen.