Toshiba und Sony entwickeln kleine und schnellere Chips

65-Nanometer-Prozess für komplexe, hochintegrierte Chips vorgestellt

Toshiba und Sony haben nach eigenen Angaben jetzt die weltweit ersten System-LSIs (Large-Scale Integrated Circuits) mit integriertem DRAM in einem 65-Nanometer-CMOS-Prozess gefertigt. Die beiden Unternehmen werten dies als Durchbruch bei der Fertigung von fortschrittlichen, kompakten Ein-Chip-Systemen, wie Sony sie unter anderem in der PlayStation 3 einsetzen will.

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Aktuell werden LSI-Systeme in der Regel mit 130-Nanometer-Prozesstechniken gefertigt. Die neue Prozess-Generation für Systems-on-a-Chip (SoC) soll durch die deutlich kleineren Strukturen mehr Funktionen bei gesteigerter Leistung bieten. Zudem sollen die neuen Chips High-Performance-Transistoren mit der weltweit höchsten Schaltgeschwindigkeit, die weltweit kleinste integrierte DRAM-Zelle als auch die weltweit kleinste integrierte SRAM-Zelle enthalten.

Dank einer neuen Transistor-Technologie habe man dabei Schaltgeschwindigkeiten von 0,72 psec für NMOSFET und 1,41 psec für PMOSFET bei 0,85V (Ioff=100 nA/um) erreicht, so die Unternehmen. Die integrierte DRAM-Zelle kommt auf eine Größe von gerade einmal 0,11 Quadratmikrometer und bietet Platz für 256 Mbit. Die SRAM-Zelle kommt auf 0,6 Quadratmikrometer.

Sony und Toshiba hatten im April angekündigt, zusammen mit IBM fortschrittliche Chip-Fertigungstechniken zu entwickeln und so innerhalb der nächsten vier Jahre Chips mit bis zu 50 nm kleinen Strukturen auf 300-mm-Wafern produzieren zu wollen. Während Toshiba die zu entwickelnde Fertigungstechnik hauptsächlich für Netzwerkchips, Heimnetz-Gateways und stromsparende Mobilprodukte nutzen will, kündigte Sony damals an, die Technologien in verschiedene Audio-, Video- und IT-Produkte - aber auch in die "Computer Entertainment Systeme" - integrieren zu wollen, was nahe legt, dass die hier entwickelten Technologien unter anderem in Sonys künftiger Spielekonsole PlayStation 3 eingesetzt werden.


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